行业速递：诺基亚发布 CSTAR-800 相干光子组件与 ICE-D PIC，硅光+铌酸锂混搭押注 1.6T

诺基亚近日介绍了其面向 AI 与云时代的光器件产品线更新，核心是两款新品：CSTAR-800 相干光子组件与 ICE-D 光子集成芯片（PIC），分别面向相干传输与数据中心内部互连。

CSTAR-800 是一款 800G 相干光子组件，把硅光与铌酸锂薄膜（TFLN）结合，提供高带宽、低损耗、高线性度的调制，封装紧凑且为非气密设计。配合协同设计的驱动器与跨阻放大器（TIA），它能简化可插拔与嵌入式光引擎的开发。关键指标：支持最高 140GBd 符号速率、Super C 波段工作，应用覆盖 DCI、城域、区域到长途网络。

ICE-D 则是为数据中心 AI 网络准备的单片磷化铟（InP）PIC，把激光器、多通道阵列、调制器和光电二极管集成一体，采用非制冷方案。与硅锗驱动器共封装后，在线性可插拔（LPO）架构下可支持最高 1.6Tb/s 连接，功耗不到 10W；并兼容全重定时、半重定时与线性驱动三种可插拔形态，覆盖 QSFP、OSFP、XPO 封装。

技术路线上看，诺基亚这次是"两条腿走路"：相干侧用硅光+TFLN 混搭追求性能与集成度，数据中心侧用单片 InP 追求低功耗——两条路线都指向同一个目标：在 AI 带宽爆炸下，让每一瓦、每一毫米都算数。

出处：Optical Connections News，2026-10 上旬。
https://opticalconnectionsnews.com/2026/10/build-faster-more-efficient-optical-networks-with-next-generation-components/

硅光 + 铌酸锂混合集成这个路线值得关注，因为两者优势互补：硅光负责低损耗波导、分束、探测器这些无源和有源（探测）部分，铌酸锂负责调制——铌酸锂的调制效率、线性度和带宽都优于硅，尤其是 200G/lane 以上时硅光调制器的驱动电压和功耗问题会凸显。混合方案的难点在异质键合和模式转换的耦合损耗控制。行业判断大致是：中低速硅光独立方案够用且成本更优；进入 1.6T 及以上，混合集成（硅光+铌酸锂，或硅光+TFLN）的性价比开始显现。另外相干光子组件的集成化也是同一趋势的体现。