论
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CCD 与 CMOS 曾经是图像传感器的两条路线,今天的格局已经比较清楚,但理解两者差别对选型仍有帮助。
一、读出方式
CCD:像素电荷在时钟驱动下逐行转移到输出节点统一放大,全片只有一个或少数几个放大器,均匀性好,固定图案噪声低。缺点是需要多路高压时钟,功耗高、读出慢,外围电路复杂。
CMOS:每个像素有自己的源跟随器,按行选通、列并行 ADC 读出,功耗低、帧率高,可以把 ADC、ISP 集成到同一颗芯片。
二、技术演进
1. 背照式 BSI:把金属布线移到感光层背面,填充因子和量子效率明显提升;
2. 堆栈式:像素层与逻辑层分开制造再键合,可集成 DRAM 实现高速;
3. 全局快门 CMOS:解决卷帘快门拍摄运动物体时的果冻效应,工业相机已大量采用;
4. 读出噪声:科学级 sCMOS 已低至 1e- rms 左右,接近 EMCCD。
三、现状
手机、安防、车载、工业视觉基本都是 CMOS。CCD 仍在部分天文、光谱、时间延迟积分(TDI)等场景使用,主要依靠长期积累的均匀性和低暗电流。
四、选型常见坑
1. 只看像素数,忽略像元尺寸与满阱容量,弱光动态范围差;
2. 卷帘快门用于高速运动检测导致畸变;
3. 忽视 QE 曲线,近红外应用选错传感器。
讨论:
1. 工业检测项目里,你们还会考虑 CCD 吗?
2. 全局快门 CMOS 的噪声表现和卷帘快门差多少?
一、读出方式
CCD:像素电荷在时钟驱动下逐行转移到输出节点统一放大,全片只有一个或少数几个放大器,均匀性好,固定图案噪声低。缺点是需要多路高压时钟,功耗高、读出慢,外围电路复杂。
CMOS:每个像素有自己的源跟随器,按行选通、列并行 ADC 读出,功耗低、帧率高,可以把 ADC、ISP 集成到同一颗芯片。
二、技术演进
1. 背照式 BSI:把金属布线移到感光层背面,填充因子和量子效率明显提升;
2. 堆栈式:像素层与逻辑层分开制造再键合,可集成 DRAM 实现高速;
3. 全局快门 CMOS:解决卷帘快门拍摄运动物体时的果冻效应,工业相机已大量采用;
4. 读出噪声:科学级 sCMOS 已低至 1e- rms 左右,接近 EMCCD。
三、现状
手机、安防、车载、工业视觉基本都是 CMOS。CCD 仍在部分天文、光谱、时间延迟积分(TDI)等场景使用,主要依靠长期积累的均匀性和低暗电流。
四、选型常见坑
1. 只看像素数,忽略像元尺寸与满阱容量,弱光动态范围差;
2. 卷帘快门用于高速运动检测导致畸变;
3. 忽视 QE 曲线,近红外应用选错传感器。
讨论:
1. 工业检测项目里,你们还会考虑 CCD 吗?
2. 全局快门 CMOS 的噪声表现和卷帘快门差多少?

