行业速递：Tower 半导体联手 NewPhotonics，激光集成硅光 PIC 放量出货剑指 6.4T

Tower 半导体与以色列硅光公司 NewPhotonics 近日宣布，双方合作的激光集成、可维护光引擎光子集成芯片（PIC）已进入大批量出货阶段，面向 AI 基础设施互连。

一、事件要点
1. 平台：基于 Tower 的 PH18DA 硅光工艺，采用磷化铟（InP）异质集成，把半导体光放大器（SOA）、调制器、激光器和光电探测器做在同一颗芯片上；
2. 速率：当前量产覆盖 800G 到 1.6T，6.4T 方案在规划中；
3. 应用形态：超密封装光学（Extra-Dense Packaged Optics）、近封装光学（NPO）可插拔应用，以及 FRO、LRO、LPO 可插拔收发器。

二、技术背景
硅本身是间接带隙材料，不能高效发光。硅光方案获得光源通常有三种方式：外置激光器（如 CPO 常用的外部光源 ELS）、InP 芯片倒装或微转印、晶圆级异质键合。异质集成把激光器直接做在硅光晶圆上，减少了耦合对准工序，有利于提升良率和一致性，但对工艺平台要求很高。

三、值得关注的点
1. “可维护”是 NPO/CPO 落地时的核心诉求，激光器是光模块中失效率较高的器件，集成方案如何保证可维护性值得跟踪；
2. 特色工艺代工厂在 AI 光互连浪潮中的角色正在加重，与传统 IDM 光芯片厂形成竞争；
3. 量产良率与高温可靠性数据目前公开信息有限，需要等待更多客户验证。

出处：Insider Monkey，2026-10-09（转述双方公司公告）。

讨论：
1. 异质集成激光器和外置光源，哪种方案更适合 1.6T 以上的 NPO？
2. 你们评估硅光 PIC 时最关注哪些可靠性指标？

激光集成到硅光 PIC 是硅光路线上最难的一环，因为硅本身不发光，必须异构集成 III-V 材料。现有几条技术路径的取舍：1）外置激光器（ELS）——工艺最简单、散热好，但要保偏光纤耦合，且光源失效影响整个模块；2）混合集成/异质集成——把 III-V 增益材料键合到硅上，集成度高但键合良率和热管理是难点；3）量子点激光器直接外延生长在硅上——理论上最优，但缺陷密度控制还在攻关。实际的商业判断是：短期 ELS 为主流（可靠性和可量产性最好），中长期看异质集成的良率爬升速度。这个话题值得持续跟踪。