论
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响应度 R 是光电探测器最基础的参数，定义为光电流与入射光功率之比，单位 A/W。
一、理论推导
每个光子能量 E = hc/λ。若量子效率为 η，则 R = η·q·λ/(h·c)。代入常数得 R = η·λ(μm)/1.24。
η = 100% 时的理论值：850nm 约 0.69A/W，1310nm 约 1.06A/W，1550nm 约 1.25A/W。波长越长，单个光子能量越低，同样功率下光子数越多，因此响应度更高。
二、实际器件
1. InGaAs PIN 在 1550nm 典型 0.9~1.0A/W，对应 η 约 75%~80%；
2. Si 探测器峰值在 900nm 附近约 0.6A/W，1100nm 以上迅速截止（硅带隙 1.12eV）；
3. Ge 探测器覆盖 800~1600nm，暗电流较大。
三、工程换算
接收 -20dBm（10μW）、R = 0.9A/W，光电流约 9μA；TIA 跨阻 2kΩ 时输出约 18mV。用这个链条可以快速判断信号幅度够不够。
四、常见坑
1. datasheet 的响应度对应特定测试波长，换波长要查曲线；
2. 响应度会随温度变化，InGaAs 在长波端更明显；
3. 光纤耦合型器件的响应度包含耦合损耗，与裸芯片值不同；
4. 高光功率下饱和，响应度会下降。
五、测试方法建议
自测响应度时，用经过校准的光功率计测量入射到探测器的光功率，再用高精度电流表或源表测量光电流，二者相除即可。注意避开探测器饱和区，测量多个功率点确认线性；同时扣除暗电流，并在恒温条件下测试，必要时记录温度以便后续修正。
讨论：
1. 你们做功率监测时，响应度标定周期多长？
2. 1310/1550 双波长监测时，如何处理响应度差异？
一、理论推导
每个光子能量 E = hc/λ。若量子效率为 η，则 R = η·q·λ/(h·c)。代入常数得 R = η·λ(μm)/1.24。
η = 100% 时的理论值：850nm 约 0.69A/W，1310nm 约 1.06A/W，1550nm 约 1.25A/W。波长越长，单个光子能量越低，同样功率下光子数越多，因此响应度更高。
二、实际器件
1. InGaAs PIN 在 1550nm 典型 0.9~1.0A/W，对应 η 约 75%~80%；
2. Si 探测器峰值在 900nm 附近约 0.6A/W，1100nm 以上迅速截止（硅带隙 1.12eV）；
3. Ge 探测器覆盖 800~1600nm，暗电流较大。
三、工程换算
接收 -20dBm（10μW）、R = 0.9A/W，光电流约 9μA；TIA 跨阻 2kΩ 时输出约 18mV。用这个链条可以快速判断信号幅度够不够。
四、常见坑
1. datasheet 的响应度对应特定测试波长，换波长要查曲线；
2. 响应度会随温度变化，InGaAs 在长波端更明显；
3. 光纤耦合型器件的响应度包含耦合损耗，与裸芯片值不同；
4. 高光功率下饱和，响应度会下降。
五、测试方法建议
自测响应度时，用经过校准的光功率计测量入射到探测器的光功率，再用高精度电流表或源表测量光电流，二者相除即可。注意避开探测器饱和区，测量多个功率点确认线性；同时扣除暗电流，并在恒温条件下测试，必要时记录温度以便后续修正。
讨论：
1. 你们做功率监测时，响应度标定周期多长？
2. 1310/1550 双波长监测时，如何处理响应度差异？
