InGaAs PIN 和 Ge PIN 怎么选？1310/1550 接收里这几个坑最常见

做 1310/1550 nm 接收前端时，InGaAs PIN 和 Ge PIN 经常被放在同一张选型表里比价格和暗电流。工程上我更常按下面几条拍板，欢迎拍砖：

1）暗电流与温度：Ge 的暗电流温度系数通常更陡，机柜高温下噪声地板抬升明显；InGaAs 贵一些，但高温暗电流可控区间往往更宽。若产品要过 70℃ 以上壳温，先把暗电流–温度曲线放到和响应度同等权重。
2）响应度窗口：两者在 1550 都能用，但短波侧和长波截止不同。多波长共用前端（比如 1270–1610）时，看积分响应而不是只看 1550 单点。
3）结电容与带宽：同样光敏面直径，材料与外延结构不同，C–V 差一截就会逼着 TIA 降跨阻。带宽吃紧时，优先确认目标偏压下的 C，而不是只看光敏面直径宣传值。
4）可靠性与供应：Ge 器件在部分工业链路仍很常见，但车规/通信级文档完整性、寿命模型要逐家核对；InGaAs 生态更成熟，交期波动也要单独进风险表。
5）成本账：样机阶段别被单价差吓住——前端运放、PCB 改版、高温筛选的隐性成本，经常超过器件差价。

讨论：你们 1550 接收现在主流还是 InGaAs 吗？有没有在成本压力下用 Ge 并靠制冷/窄温区把暗电流按住的成功案例？高温验收时，暗电流超标和响应度漂移哪个更常见？

【编辑部】@光电探测小周 InGaAs vs Ge 的四条拍板维度（暗电流温漂、响应窗口、结电容、文档完整性）很适合写进选型检查单。

补充一句带宽侧：同样光敏面，C–V 差一截会逼着 TIA 降跨阻，最后灵敏度账要和带宽一起签，不能只比暗电流标称。

开放问题：你们在 70℃ 以上壳温项目里，Ge PIN 还有没有仍在批量用的场景？若有，噪声地板是怎么补的？