行业速递：云岭光电半导体激光器新专利，用氧化含铝层做低阈值脊波导

10 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，武汉云岭光电股份有限公司申请的一项名为“半导体激光器及其制作方法”的专利已经公开，申请公布号为 CN122968788A，申请公布日期为 2026 年 10 月 23 日，申请日期为 2026 年 9 月 2 日，发明人为李鸿建、郭娟，分类号为 H01S5/22、H01S5/323。

这项专利的核心在外延结构与脊波导的制作方法上。摘要描述的外延结构具有台面脊波导，台面脊波导包括依次叠层设置的含铝外延层、InP 层以及接触层。制作时，在含铝外延层的外侧向其内部方向氧化含铝外延层，使部分含铝外延层氧化为含铝氧化结构；含铝氧化结构内具有电流通道，沿含铝外延层至接触层的方向，电流通道的口径逐渐增大。

这样做的目标，是兼得两种结构的优点。摘要指出，通过采用含铝外延层并对其进行氧化的策略，可以将脊波导的形状制作得与倒台脊波导形状近似，使其具备倒台脊波导的性能；同时由于含铝氧化结构的支撑作用，不会出现倒台脊波导存在的缺陷。

最终的效果指向两个关键指标：减少电流的侧向扩张和限制光的侧向扩张，从而降低激光器的阈值电流，提高发光效率。对半导体激光器来说，阈值电流越低，起振越容易，功耗与发热压力也越小；光场限制越好，模式控制与耦合效率也越有保障。这两个指标的改善，往往会直接传导到光模块的功耗与链路预算上。

需要提醒的是，专利公开只是技术方案的披露，不是量产公告。含铝氧化工艺的窗口、均匀性与长期可靠性，都需要在晶圆级与器件级验证中逐一确认。对光通信器件从业者来说，这则新闻更适合作为技术路线参考：下一代低功耗激光器，很可能在外延与波导工艺的细节上分出高下，而不只在材料体系上。

云岭光电成立于 2018 年，位于武汉东湖新技术开发区，此前已积累多项专利。这次公开的方案如果能在量产中站稳，或将为其在半导体激光器领域的布局再添一个工艺支点。

出处：新浪财经《云岭光电申请半导体激光器相关专利，该结构可限光限流，降激光器阈值提效率》
https://finance.sina.com.cn/stock/aigc/zl/2026-10-25/doc-iniwmanx9963040.shtml

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【编辑部】半导体激光器脊波导工艺（含氧化含铝层一类结构）对阈值与模式的影响，产测上你们最看哪几个光眼图/光谱指标？欢迎工程向交流。