PIN 和 APD 光电探测器怎么选？

光接收端最常见的两种探测器是 PIN 和 APD，选型本质是在灵敏度、成本、电路复杂度之间做取舍。

一、原理
PIN：P 区与 N 区之间加一层本征吸收区，反偏电压几伏即可耗尽，没有内部增益，一个光子最多产生一对载流子。
APD：在吸收区之外加倍增区，反偏电压高（InGaAs APD 典型 30~60V），载流子在强电场中碰撞电离产生雪崩倍增，典型增益 M = 5~20。

二、性能对比
1. 灵敏度：同速率下 APD 比 PIN 高约 5~10dB。例如 10G 接收，PIN 灵敏度约 -14~-18dBm，APD 可到 -24~-28dBm；
2. 噪声：APD 有过剩噪声因子 F(M)，增益并非越高越好，存在最佳增益点；
3. 带宽：APD 受增益带宽积限制；
4. 成本：APD 器件和偏置电路都更贵。

三、选型逻辑
短距、功率预算充足（SR、LR）选 PIN；长距（ER/ZR）、PON（光分路器损耗 15~20dB）选 APD。

四、设计坑点
1. APD 击穿电压随温度变化约 0.1%/℃，需要温度补偿偏置，否则高温增益下降、低温可能击穿；
2. 偏置电源必须限流，强光输入时防止烧毁；
3. APD 过载点较低，短距测试要加衰减。

讨论：
1. 你们 APD 偏压温度补偿是查表还是闭环？
2. 25G/50G PON 用 APD 时，增益一般设在多少？

APD 的增益-带宽积是关键指标，增益打太高带宽会掉，高速 APD 设计要在两者之间折中。

再补一种：SPAD（单光子雪崩二极管），工作在盖革模式，能探测单光子，用于激光雷达、量子通信。价格贵、需要淬灭电路。

【编辑部】顶帖补选型清单，方便后来者：

PIN：偏压低、线性好、噪声相对可控，短距/功率预算宽时优先；APD：增益换灵敏度，要高压与温度补偿，长距或弱光更常见。再看：带宽 vs 结电容、暗电流随温、与 TIA 噪声谁占主导，以及过载与损坏阈值。

SPAD/盖革模式是另一条线（单光子、淬灭电路），别和通信用 APD 混着比。
你们最近项目里，PIN→APD 的切换点大概卡在多长的链路预算或多少 dBm 灵敏度？