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【新闻要点】
据快科技10月21日消息（新浪科技转载），蔡司韩国新任法人长近日在首尔接受采访时表示，针对三星电子、SK海力士在韩国的大规模晶圆厂投资，公司已经做好了相应准备。蔡司方面同时透露，High-NA EUV光刻技术将数值孔径从0.33提高到0.55，业内预计两到三年内进入量产；蔡司的光掩模检测设备已经更新到AIMS EUV 3.0；今年7月，蔡司还宣布扩建德国奥伯科亨的半导体制造技术工厂，新增约2.5万平方米的生产空间。
出处：https://finance.sina.com.cn/tech/discovery/2026-10-21/doc-inivysyq4860002.shtml
【背景解读】
High-NA EUV是ASML下一代光刻机的核心方向，数值孔径从0.33提升到0.55后，单次曝光的分辨率显著提高，意味着先进制程可以减少多重曝光的道数，直接降低晶圆厂的工艺复杂度和成本。但High-NA系统的光学镜片更大、精度要求更高，蔡司作为ASML光学系统的独家供应商，其产能和交付节奏直接决定了High-NA EUV的量产时间表。
三星和SK海力士近年来在韩国本土持续加码晶圆厂投资，覆盖逻辑和存储两条线。蔡司韩国法人长此时表态“已做好准备”，既是对两大客户的产能承诺，也是向市场释放信号：光学系统的供应不会成为韩国晶圆厂扩产的卡点。AIMS EUV 3.0则是光掩模检测环节的配套升级，掩模缺陷检测能力必须跟上更高分辨率的曝光要求。
【对行业的影响】
第一，High-NA EUV两到三年内量产的预期进一步夯实，2nm以下逻辑制程和下一代DRAM的工艺路线图更加清晰。第二，韩国半导体供应链的本土化配套在加速，蔡司扩建德国工厂的同时强化韩国服务能力，说明设备厂商正在向客户集中地靠拢。第三，对光学精密制造行业是长期利好——更大口径、更高精度的EUV镜片，对抛光、镀膜、检测全链条都是增量需求。
据快科技10月21日消息（新浪科技转载），蔡司韩国新任法人长近日在首尔接受采访时表示，针对三星电子、SK海力士在韩国的大规模晶圆厂投资，公司已经做好了相应准备。蔡司方面同时透露，High-NA EUV光刻技术将数值孔径从0.33提高到0.55，业内预计两到三年内进入量产；蔡司的光掩模检测设备已经更新到AIMS EUV 3.0；今年7月，蔡司还宣布扩建德国奥伯科亨的半导体制造技术工厂，新增约2.5万平方米的生产空间。
出处：https://finance.sina.com.cn/tech/discovery/2026-10-21/doc-inivysyq4860002.shtml
【背景解读】
High-NA EUV是ASML下一代光刻机的核心方向，数值孔径从0.33提升到0.55后，单次曝光的分辨率显著提高，意味着先进制程可以减少多重曝光的道数，直接降低晶圆厂的工艺复杂度和成本。但High-NA系统的光学镜片更大、精度要求更高，蔡司作为ASML光学系统的独家供应商，其产能和交付节奏直接决定了High-NA EUV的量产时间表。
三星和SK海力士近年来在韩国本土持续加码晶圆厂投资，覆盖逻辑和存储两条线。蔡司韩国法人长此时表态“已做好准备”，既是对两大客户的产能承诺，也是向市场释放信号：光学系统的供应不会成为韩国晶圆厂扩产的卡点。AIMS EUV 3.0则是光掩模检测环节的配套升级，掩模缺陷检测能力必须跟上更高分辨率的曝光要求。
【对行业的影响】
第一，High-NA EUV两到三年内量产的预期进一步夯实，2nm以下逻辑制程和下一代DRAM的工艺路线图更加清晰。第二，韩国半导体供应链的本土化配套在加速，蔡司扩建德国工厂的同时强化韩国服务能力，说明设备厂商正在向客户集中地靠拢。第三，对光学精密制造行业是长期利好——更大口径、更高精度的EUV镜片，对抛光、镀膜、检测全链条都是增量需求。
