论
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MLCC（多层陶瓷电容）是用量最大的被动器件，但只看容值和耐压很容易出问题。
一、直流偏置效应
X5R/X7R 等 II 类介质在加直流电压后容值会大幅下降。例如 0603 封装 10μF/10V X5R 电容，在 5V 偏压下实际容值可能只剩 30%~50%。电源去耦与 LDO 输出电容一定要查厂商的 DC bias 曲线。
二、温度特性
C0G/NP0：±30ppm/℃，容值稳定，适合振荡、滤波、定时，但容值通常在 nF 级以下；
X7R：-55~125℃ 内变化 ±15%；X5R：-55~85℃ 内 ±15%；Y5V：变化可达 +22%/-82%，不推荐用于关键电路。
三、ESR/ESL 与频率特性
电容在自谐振频率以上呈感性。0402 封装 ESL 约 0.3~0.5nH，0805 约 0.8~1nH。高频去耦宜多颗小封装并联，并缩短过孔与回路。
四、机械与可靠性
1. 板弯曲导致 MLCC 开裂，可能形成短路，大封装（1206 以上）靠近板边或螺丝孔要注意，可选柔性端头；
2. 压电效应导致啸叫，开关电源中可选低啸叫型号；
3. 车规件需 AEC-Q200 认证。
五、选型建议
1. 根据实际工作电压查 DC bias 曲线，再决定标称容值；
2. 耐压一般按 1.5~2 倍工作电压选；
3. 国产替代时比对实测容值曲线和 S 参数。
讨论：
1. 你们遇到过 MLCC 开裂导致的失效吗？是如何定位的？
2. 啸叫问题你们一般怎么解决？
一、直流偏置效应
X5R/X7R 等 II 类介质在加直流电压后容值会大幅下降。例如 0603 封装 10μF/10V X5R 电容，在 5V 偏压下实际容值可能只剩 30%~50%。电源去耦与 LDO 输出电容一定要查厂商的 DC bias 曲线。
二、温度特性
C0G/NP0：±30ppm/℃，容值稳定，适合振荡、滤波、定时，但容值通常在 nF 级以下；
X7R：-55~125℃ 内变化 ±15%；X5R：-55~85℃ 内 ±15%；Y5V：变化可达 +22%/-82%，不推荐用于关键电路。
三、ESR/ESL 与频率特性
电容在自谐振频率以上呈感性。0402 封装 ESL 约 0.3~0.5nH，0805 约 0.8~1nH。高频去耦宜多颗小封装并联，并缩短过孔与回路。
四、机械与可靠性
1. 板弯曲导致 MLCC 开裂，可能形成短路，大封装（1206 以上）靠近板边或螺丝孔要注意，可选柔性端头；
2. 压电效应导致啸叫，开关电源中可选低啸叫型号；
3. 车规件需 AEC-Q200 认证。
五、选型建议
1. 根据实际工作电压查 DC bias 曲线，再决定标称容值；
2. 耐压一般按 1.5~2 倍工作电压选；
3. 国产替代时比对实测容值曲线和 S 参数。
讨论：
1. 你们遇到过 MLCC 开裂导致的失效吗？是如何定位的？
2. 啸叫问题你们一般怎么解决？
