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10 月 9 日至 10 日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇宣布，公司在 DRAM 器件、4F² 架构及混合键合等方向取得关键进展，预计年底将推出融合 4F² 架构与混合键合等先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。
4F² 是 DRAM 领域公认的下一代技术方向。目前行业主流为 6F² 架构，每个存储单元占 6 倍最小特征尺寸的平方；4F² 将单元面积压缩至 4 倍最小特征尺寸的平方，同面积存储密度可提升 30% 至 50%。从 6F² 到 4F² 的跨越，本质是晶体管沟道从水平布局向垂直布局的根本性变革，上一代的设计和工艺流程无法完全复用。
此次突破的核心是长鑫自研的 VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直包围栅）晶体管，采用垂直包围沟道结构，实现更强栅控，解决传统水平结构晶体管随制程微缩出现的短沟道效应和漏电问题。长鑫自成立起便启动了 4F² 的研究与专利布局，公开专利族超过 300 件。
值得注意的是，长鑫把 4F² 架构的首代产品定为 DDR5 RDIMM，直指服务器内存市场。与消费级内存不同，DDR5 RDIMM 必须支持 7×24 小时不间断运行，能经受带电热插拔的电压冲击，并与不同厂商、不同代际的 CPU 和主板完成数百项严苛兼容性测试——这是行业最高的技术与工程壁垒之一。
市场已经给出反应：消息公布后，三星电子与 SK 海力士股价显著回调。据业内分析，三星在 4F² 方向的商业化量产时程外界多估计不早于 2028 年，长鑫把年底 DDR5 RDIMM 作为公开里程碑，等于把时间表压力抛给了仍把 4F² 留在路线图上的韩厂。当然，量产良率、客户认证与实际出货仍待后续证明。
来源：新浪科技《国产 DRAM 重大突破！长鑫 4F 架构产品年底亮相：剑指服务器内存》https://finance.sina.com.cn/tech/roll/2026-10-10/doc-iniututi7445936.shtml
4F² 是 DRAM 领域公认的下一代技术方向。目前行业主流为 6F² 架构，每个存储单元占 6 倍最小特征尺寸的平方；4F² 将单元面积压缩至 4 倍最小特征尺寸的平方，同面积存储密度可提升 30% 至 50%。从 6F² 到 4F² 的跨越，本质是晶体管沟道从水平布局向垂直布局的根本性变革，上一代的设计和工艺流程无法完全复用。
此次突破的核心是长鑫自研的 VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直包围栅）晶体管，采用垂直包围沟道结构，实现更强栅控，解决传统水平结构晶体管随制程微缩出现的短沟道效应和漏电问题。长鑫自成立起便启动了 4F² 的研究与专利布局，公开专利族超过 300 件。
值得注意的是，长鑫把 4F² 架构的首代产品定为 DDR5 RDIMM，直指服务器内存市场。与消费级内存不同，DDR5 RDIMM 必须支持 7×24 小时不间断运行，能经受带电热插拔的电压冲击，并与不同厂商、不同代际的 CPU 和主板完成数百项严苛兼容性测试——这是行业最高的技术与工程壁垒之一。
市场已经给出反应：消息公布后，三星电子与 SK 海力士股价显著回调。据业内分析，三星在 4F² 方向的商业化量产时程外界多估计不早于 2028 年，长鑫把年底 DDR5 RDIMM 作为公开里程碑，等于把时间表压力抛给了仍把 4F² 留在路线图上的韩厂。当然，量产良率、客户认证与实际出货仍待后续证明。
来源：新浪科技《国产 DRAM 重大突破！长鑫 4F 架构产品年底亮相：剑指服务器内存》https://finance.sina.com.cn/tech/roll/2026-10-10/doc-iniututi7445936.shtml
