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6 月份 JX Advanced Metals（JX 金属）发布公告：未来四年最多投资 1200 亿日元扩大 InP 衬底产能，规划提升约 7~10 倍，同时将与客户讨论价格调整。
一、需求背景
LightCounting 预计，2026 年 1.6T 出货将从 2025 年的小基数增长到数千万端口，1.6T 芯片组销售额将超过 20 亿美元。高速模块使用的 EML、DFB 激光器芯片和高速 PD 都基于 InP 材料体系，衬底需求随之快速增长。
二、InP 衬底的特点
1. 晶体生长难度高，常用 VGF（垂直梯度凝固）法，主流尺寸 2~4 英寸，6 英寸仍在推进；
2. 材料脆，加工良率低于硅和 GaAs；
3. 全球供应商集中度高，扩产周期长。
三、可能的传导效应
1. EML、DFB、APD 等 InP 器件可能在扩产期间持续偏紧；
2. 高速数通器件优先级高，中低速工业、电力、接入类器件可能面临产能挤占和交期延长；
3. 衬底价格上调会传导到芯片和模块成本；
4. 推动硅光、薄膜铌酸锂等减少 InP 用量的方案。
四、供应链应对建议
1. 关键 InP 器件提前做需求预测，与供应商签订长期协议；
2. 对中低速器件开展第二来源验证，包括国产器件；
3. 验证替代器件时完成全温可靠性和长期老化测试，不能只看常温参数。
讨论：
1. 你们最近采购 InP 类器件时，交期有明显变化吗？
2. 有没有已经开始做双来源或替代验证的？遇到了哪些问题？
一、需求背景
LightCounting 预计，2026 年 1.6T 出货将从 2025 年的小基数增长到数千万端口，1.6T 芯片组销售额将超过 20 亿美元。高速模块使用的 EML、DFB 激光器芯片和高速 PD 都基于 InP 材料体系，衬底需求随之快速增长。
二、InP 衬底的特点
1. 晶体生长难度高，常用 VGF（垂直梯度凝固）法，主流尺寸 2~4 英寸，6 英寸仍在推进；
2. 材料脆，加工良率低于硅和 GaAs；
3. 全球供应商集中度高，扩产周期长。
三、可能的传导效应
1. EML、DFB、APD 等 InP 器件可能在扩产期间持续偏紧；
2. 高速数通器件优先级高，中低速工业、电力、接入类器件可能面临产能挤占和交期延长；
3. 衬底价格上调会传导到芯片和模块成本；
4. 推动硅光、薄膜铌酸锂等减少 InP 用量的方案。
四、供应链应对建议
1. 关键 InP 器件提前做需求预测，与供应商签订长期协议；
2. 对中低速器件开展第二来源验证，包括国产器件；
3. 验证替代器件时完成全温可靠性和长期老化测试，不能只看常温参数。
讨论：
1. 你们最近采购 InP 类器件时，交期有明显变化吗？
2. 有没有已经开始做双来源或替代验证的？遇到了哪些问题？
