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OFC 2026 专门设了一个专场，名为「TFLN Photonics at the Inflection Point」，薄膜铌酸锂（TFLN）被视为下一代高速调制的关键材料之一。
一、为什么是铌酸锂
铌酸锂具有强线性电光效应（Pockels 效应），调制线性度好、几乎无啁啾。传统体材料铌酸锂调制器体积大、驱动电压高。薄膜铌酸锂把材料做成数百纳米厚的薄膜，光场约束更强，电极间距更小，实现了高带宽和低驱动电压。按展会总结，TFLN 调制带宽可超过 100GHz，半波电压 Vπ ≤1V。
二、产业现状
1. 同一总结提到，TFLN 整模块尚未大规模量产，硅光仍是数通主流；
2. 相干方向更积极：中国移动在 AI 全光网技术蓝图中认为，TFLN 在电光带宽、工作频宽上比 InP 和硅光更有优势，适合 T 比特级、超 200GBd 的相干传输；
3. 科研与测试市场已有多家厂商提供 TFLN 调制器产品。
三、工程难点
1. 晶圆尺寸与制造：薄膜键合与刻蚀工艺，晶圆尺寸与 CMOS 主流产线不同；
2. 直流漂移：偏置点随时间漂移，需要自动偏压控制（ABC）电路；
3. 光耦合：与光纤的模场匹配需要模斑转换器；
4. 封装与可靠性数据仍在积累。
四、实验使用建议
1. 偏置控制器要选择与调制格式匹配的锁定模式（正交点、最小点、最大点）；
2. 注意输入光功率上限和光折变效应；
3. 射频驱动摆幅应参照 Vπ 设置，避免过驱动。
讨论：
1. 你们在实验室使用 TFLN 调制器时，封装与偏置控制体验如何？
2. 与传统体材料铌酸锂相比，上手难度大不大？
一、为什么是铌酸锂
铌酸锂具有强线性电光效应（Pockels 效应），调制线性度好、几乎无啁啾。传统体材料铌酸锂调制器体积大、驱动电压高。薄膜铌酸锂把材料做成数百纳米厚的薄膜，光场约束更强，电极间距更小，实现了高带宽和低驱动电压。按展会总结，TFLN 调制带宽可超过 100GHz，半波电压 Vπ ≤1V。
二、产业现状
1. 同一总结提到，TFLN 整模块尚未大规模量产，硅光仍是数通主流；
2. 相干方向更积极：中国移动在 AI 全光网技术蓝图中认为，TFLN 在电光带宽、工作频宽上比 InP 和硅光更有优势，适合 T 比特级、超 200GBd 的相干传输；
3. 科研与测试市场已有多家厂商提供 TFLN 调制器产品。
三、工程难点
1. 晶圆尺寸与制造：薄膜键合与刻蚀工艺，晶圆尺寸与 CMOS 主流产线不同；
2. 直流漂移：偏置点随时间漂移，需要自动偏压控制（ABC）电路；
3. 光耦合：与光纤的模场匹配需要模斑转换器；
4. 封装与可靠性数据仍在积累。
四、实验使用建议
1. 偏置控制器要选择与调制格式匹配的锁定模式（正交点、最小点、最大点）；
2. 注意输入光功率上限和光折变效应；
3. 射频驱动摆幅应参照 Vπ 设置，避免过驱动。
讨论：
1. 你们在实验室使用 TFLN 调制器时，封装与偏置控制体验如何？
2. 与传统体材料铌酸锂相比，上手难度大不大？
