PIN 光电二极管的响应度可以直接由量子效率推出来：
R = η·q·λ/(h·c) ≈ η·λ(µm)/1.24 [A/W]
代入 λ=1.55 µm、η=0.7：R ≈ 0.7×1.55/1.24 ≈ 0.87 A/W，这就是 1550 nm 器件常见的 0.85~0.95 A/W 来源。

顺着算一遍链路，很直观：
接收光功率 -20 dBm = 10 µW
光电流 = 0.87 A/W × 10 µW = 8.7 µA
跨阻 Rf = 10 kΩ → 输出约 87 mV
这个量级说明为什么 TIA 的第一级噪声与漏电流如此关键：信号本身只有微安级。

APD 靠反向偏压产生碰撞电离，光电流再乘倍增因子 M。但散粒噪声随 M 的平方项放大，过剩噪声因子常写成
F(M) ≈ k·M + (2 - 1/M)(1 - k)，k 为电离系数比
噪声电流约 ∝ M²·F(M)，而信号只 ∝ M，所以 SNR 会先升后降，存在最优 M。偏压越高，M 越大，同时暗电流与温度漂移也越明显。

选型顺序：
1) 先算接收光功率与所需 SNR，看 PIN + 低噪声 TIA 是否够。
2) 不够再考虑 APD，并把偏压温度补偿（约随温度上升需提高偏压）纳入设计。
3) 用误码率而不是输出电压幅度做最终判据。

结论：短距、接收光功率充裕的场景用 PIN 更省事；长距弱光才值得为 APD 增加高压、温补和保护电路的复杂度。