图像传感器的动态范围由两端决定：最多能装多少电子，最小时能分辨多少电子。
DR = 20·log10(FWC / n_read)
举例：满阱 FWC = 30000 e-，读出噪声 n_read = 2 e-
DR = 20·log10(15000) ≈ 83.5 dB ≈ 13.9 bit
也就是说，配 14 bit ADC 刚好够用，标 16 bit 并不会凭空增加动态范围。像素越小，满阱通常越小，这是小像素高分辨率方案在强对比场景容易过曝的物理原因。

三个常被忽略的量：
1) 转换增益（e-/DN）：把数字量换算成电子的桥梁，不测它就没法把噪声指标跨机型比较。
2) 暗电流：硅器件经验上温度每升高 7~8 ℃ 大约翻倍。长曝光夜景与工业在线检测差别主要在这里。
3) 满阱与 ADC 饱和的先后：应先让 ADC 饱和发生在满阱之后，否则高位白白浪费。

一套不用专业设备也能做的测量：
- 读噪声：全暗条件下连拍两帧，差分图像的标准差除以 √2 即为读出噪声（DN），再乘转换增益换算成 e-。
- 转换增益：取若干均匀光强，画「方差-均值」曲线，低照度段斜率即转换增益。
- 暗电流：固定增益，改变曝光时间，看暗场均值随时间的斜率。

结论：选型时把 FWC、读出噪声、转换增益、暗电流四项一起看，比对比像素总数有用得多。高分辨率若牺牲满阱，逆光场景的动态范围反而变差。