11月4日，印度新闻信息局（PIB）发布消息称，印度贾瓦哈拉尔·尼赫鲁高级科学研究中心（JNCASR）的研究团队开发出一款太赫兹硅芯片，可让太赫兹波在穿过人为设置的障碍时仅损耗约 1–2%，两道障碍的损耗也只有 2–3%，数据传输速率可达 100 Gbit/s。相关论文已发表于《Advanced Materials》。

太赫兹频段被视为未来 6G 通信的关键频谱资源之一，理论上可提供远高于现有毫米波的传输速率。但长期以来，太赫兹波极易被墙体、家具等障碍物阻挡，信号衰减严重，是制约其实用化的主要瓶颈之一。

JNCASR 团队的方案是基于拓扑光子学原理，在硅芯片上构建了三角孔光子晶体结构，利用所谓的光子克莱因隧穿（photonic Klein tunnelling）效应，使太赫兹波能够“绕过”障碍继续传播。测试在 310–360 GHz 频段内进行，结果显示信号在穿障后仍保持极低损耗，这在以往的太赫兹器件中难以实现。

对行业而言，这项研究为解决 6G 太赫兹通信的穿障难题提供了一条基于硅工艺的新路径。若该技术能够从实验室走向工程化，基于成熟硅基工艺的低成本、可量产特性，将有助于太赫兹器件与现有半导体产业链对接。不过需要指出的是，目前成果仍处于研究验证阶段，距离商用还有较长的路要走，实际部署中的功耗、集成度与成本仍需进一步验证。

出处：https://www.cavalier.in/nda-current-affairs/2026-11-04/terahertz-silicon-chip-6g-jncasr-2026